FDMS9600S
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi FDMS9600S
| Artikelnummer: | FDMS9600S |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A POWER56 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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- Verpackung
-
onsemi FDMS9600S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMS9600S.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-MLP (5x6), Power56 Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 12A, 10V Leistung - max 1W Verpackung / Gehäuse 8-PowerWDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1705pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A, 16A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer FDMS9600 FDMS9600S Einzelheiten PDF [English] FDMS9600S PDF - EN.pdf -
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